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用于可调谐InGaAs/InP激光器新的量子阱后置无序技术研究

2002年

应用技术

初期阶段

成果简介

近年来，国际上光通讯发展迅速，不断要求新的高质量高性能光子集成器件的出现，以适应光通讯的需要。
我们得到国家自然科学基金面上项目支持，于1998年立项经过三年研究初步获得好的结果。对于1.55μm光通讯——InGaAsP/InP多量子阱材料，采用新的互扩方法，带隙改变224meV的最大移动量。它的创新之处在于采用含磷组份新的电介质膜SiOP，替代国际上传统的电介质膜（S...

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