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一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种大功率MOS器件以及一种制造大功率MOS器件的方法。该方法包括以下步骤：成长场氧化层；去除氮化硅；去除二氧化硅；成长硬掩膜；沟槽光刻；沟槽主刻蚀；沟槽底部离子注入；沟槽底部圆化刻蚀；去除硬掩膜；成长栅氧化层；成长多晶硅栅；金属层互连。利用本发明制造的大功率MOS器件深沟槽底部栅氧化层的厚度比沟槽上的栅氧化层厚，其栅极和漏极之间的寄生电容CGD较小，有较好的频率特性。本发明可...
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