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一种刻蚀方法

2005年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种刻蚀方法，包括如下步骤：首先进行干法刻蚀，用单色光斜射到硅片表面，利用氧化层上表面与下表面的反射光线产生干涉光程差，随时计算出氧化膜的厚度，当氧化层的厚度刚好使等离子轰击不到硅衬底时，停止干法刻蚀；然后进行湿法刻蚀，直到将剩余的氧化膜全部除去。本发明利用将干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方式，有效的降低了这两种方法各自缺陷对刻蚀效果的影响，使刻蚀后的硅片既有精确的线宽，而且硅衬底...
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