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一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种改进器件浅沟道隔离边缘漏电的方法，即按顺序对器件进行如下工艺步骤：第一次无光敏性有机物涂布、第一次涂胶、N阱光罩曝光、N阱注入、第一次干法去胶、第一次湿法去胶、第二次无光敏性有机物涂布、第二次涂胶、P阱光罩曝光、P阱注入、第二次干法去胶、第二次湿法去胶、HF处理、栅氧生长。本发明方法大大减短了后期的HF处理时间，减少了由于该步HF处理对STI顶部边缘小角的影响，可以减小ST...
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