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多晶硅刻蚀腔体

2006年 应用技术
  • 成果简介
本发明公开了一种多晶硅刻蚀腔体,在多晶硅刻蚀腔体内的静电吸附盘周围环绕设有一底部和静电吸附盘处于同样高度、设置在静电吸附盘底座上的聚焦环,聚焦环高出静电吸附盘的部分高度为10mm~40mm,外径等于静电吸附盘底座的外径,内径在201mm至211mm之间,聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度等于静电吸附盘的高度,内径等于静电吸附盘的直径,外径等于静电吸附盘底座的外径。本发明通过将腔内的定位环更换...
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