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可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
申请（专利）号：02115096.6　　　　　　　[公开日]2003年1月1日
[申请日]2002年4月17日
本发明公开了一种可控生长具有一定直径和分布密度的碳纳米管的方法。其包括以下工艺步骤：（1）用磁过滤真空弧等离子体薄膜沉积或磁控溅射的方法在衬底上镀上一层催化剂薄膜；（2）将镀了催化剂的衬底在氢气气氛下，在600摄氏度的温度下还原处理；（3）...
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