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一种基于（100）晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构及方法

2007年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
　　本发明涉及一种基于｛100｝晶面硅锭制作的红外闪耀光栅结构。其关键是对｛100｝晶面硅锭进行特定角度c切割形成基片，再对基片进行常规半导体工艺，包括光刻、氧化、各向异性湿法腐蚀等，从而制作出特定的闪耀光栅倾角，实现闪耀光栅结构；其光栅闪耀角b和切割角度c满足关系式：b＋c＝54.7o。所得到的闪耀光栅的闪耀角范围可以从1到54度。由于本发明采用硅的慢腐蚀面｛111｝面来保证闪耀光栅的闪耀角，具...
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