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改善CMOS模拟图像传感器成像质量的γ射线辐照方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
改善数字CMOS模拟图像传感器图像质量的γ射线辐照方法，属于图像传感和粒子辐照技术领域。其特征在于：辐照温度为室温，对上述传感器的γ射线辐照剂量为20～120Krad(Si)；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，退火时间随退火温度的升高而减小，气氛为空气。它对于不均匀性较大的CMOS模拟图像传感器成像质量的改善效果十分明显，可提高优级品率，也可把不...
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