首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

一种MEMS器件制作方法

2007年 应用技术
  • 成果简介
本项目提出一种采用改进了的电化学深刻蚀技术制作微机电系统器件方法，其过程包括对硅片的背面进行同型离子注入以获得较好的电接触。并直接退火以激活；淀积掩模层，一种比较理想的掩模层是低应力氮化硅，通过光刻以及刻蚀工艺，腐蚀掉需要开孔的区域的掩模层，打开窗口。采用KOH或TMAOH对腐蚀，在窗口处获得倒金字塔结构。光刻去除背面的氮化硅，这样一方面获得良好的电接触，也为将来的双面加工创造条件。采用背...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统