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光电采样技术

2007年 应用技术
  • 成果简介
开展研究Si集成电路芯片内部特性在片检测技术。现已建立一台原理性实验装置，已经能够对装在管座上的Si集成电路芯片内部各点的信号进行测量。达到的技术指标如下，空间分辨率小于2微米，时间分辨率依据使用的激光光源不同为15～20ps，实验装置的电压灵敏度达到10mVHZ。可检测Si或GaAs集成电路芯片内部各电路元件的输入输出信号波形、上升下降时间、相对的延迟时间和位相关系。获两项国家发明专利。...
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