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氮化铝陶瓷基板

2007年 应用技术
  • 成果简介
　　特点：（1）高热导率：＞170W/m·K，大约是A1_2O_3的8～10倍；（2）热膨胀系数与Si接近：4.2×10^（-6）/℃，适合贴装大面积Si芯片且耐温度循环；（3）电性能优良：体积电阻＞10^（14）Ω·cm；（4）机械强度高：等于或优于Al_2O_3。
　　应用：（1）功率半导体模块电路基板，功率微波器件和IC封装；（2）功率变换器，晶闸管，LD，LED等器件的热沉材料...
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