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槽栅IGBT新工艺新结构

2007年

应用技术

成果简介

新型半导体功率器件IGBT是当今电力电子领域性能优异，应用广泛的器件。这里介绍的槽栅IGBT器件，采用VLSI技术中的硅栅等平面工艺制作，但对制作工艺进行了简化，用200mm～300mm硅片。主要应用于通讯开关电源，家用电器变频，显示驱动等领域，经济效益显著，市场前景广阔。
欢迎有较强市场开拓能力和一定资金实力的投资者与我们一起进行槽栅结构IGBT器件的生产开发!...

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