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高阻、高均匀度磁场直拉硅单晶技术

2007年 应用技术
  • 成果简介
该项技术是针对国内外有较大市场的高阻高质量硅单晶片开发的，具有自主产权的磁场生长技术（MCZ）。通过所开发的技术使生产的硅单晶有较高的电阻率范围、较均匀的径向电阻率分布、较精确的氧浓度控制和较少的氧沉淀及微缺陷密度，可明显改善器件的耐高压特性、成品率、参数一致性，提高器件可靠性，使制造许多高性能器件成为可能。
以研究开发阶段年产能力2000kg计算，年增产值约200万元...
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