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金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法

2007年

应用技术

成果简介

本发明提出了一种用于生长氮化镓（GaN）及其有关化合物单晶薄膜的方法及其装置。同轴双管分流器把NH_3气与Ⅲ族有机源分别运输，可方便地调整它们的混合点，使两种气体快速混合并层流扩展，最大限度地减少气相副反应；气流压缩型MOVPE反应系统，解决了热浮力问题，可获得高质量均匀的氮化镓（GaN）及其有关化合物单晶薄膜。可用于氮化镓（GaN）－bazed兰光LED和LD的生产和研究。
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