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GaN紫外探测器

2007年

应用技术

成果简介

自从“十五”国家863项目支持以来，我们在GaN紫外探测器的研究方面发现和解决了一系列技术难题，并研制出高性能的可见光盲、太阳光盲两种波段的紫外探测器。具体如下：
在材料生长方面，深入研究了低温GaN缓冲层对外延层材料质量的影响，发现了本征GaN材料中载流子散射的机制，改变了传统生长模式，生长出高质量的本征GaN材料，其室温电子迁移率为1000 cm^2/vs，本底电子浓度小于...

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