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大尺寸半导体SiC单晶衬底材料

2007年 应用技术
  • 成果简介
本课题在863的支持下，成功地解决了SiC单晶生长需要的高温环境及其单晶硬度高难以加工的困难，顺利完成和部分超额完成了863的预定目标，为SiC单晶衬底的产业化奠定了基础。
本课题对不同生长条件下SiC单晶生长的温度场进行了模拟，以此为依据设计了适合于大直径SiC单晶生长的坩埚和保温材料。结合晶体生长理论，优化了单晶生长的籽晶温度、温度梯度、生长室压力等工艺参数，获得的...
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