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铁电存储器研究

2007年

应用技术

成果简介

将铁电薄膜技术与集成电路工艺相结合制作铁电存储器(FeRAM)是新兴的边缘学科——集成铁电学中电引人瞩目的研究方向。
FeRAM具有不挥发性和抗辐射性，功耗低，写操作速度快，可比EEPROM高两个数量级，写操作次数高，可达100亿次，比EEPROM高数个数量级。FeRAM被认为是未来存储技术的主流，根据预测，今后若干年内可能取代EEPROM，甚至DRAM，SRAM而占据...

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