首页成果登记
注册 找回密码
国家科技成果网
  		•
热门搜索：  激光   高分子   石油   并网   纳米   太阳能光伏
扫描二维码关注国科网

登记 排行 政策 对接 转化 专栏
国家科技成果网 › 首页 ›成果 › 查看内容

硅基超高速双极集成电路研究

1999年 应用技术
  • 成果简介
中国国内首批开发研究成功全套双层多晶硅结构的多晶硅发射极双极工艺技术，此套工艺技术与国际上先进的深亚微米工艺技术接轨。全套工艺技术包括了双层多晶硅结构的多晶硅发射极技术、硅的深槽隔离、0.1μm浅结、钴硅化物技术、多种自对准结构、SIO_2/SI_3N_4双层介质L型侧墙技术等。利用此套工艺技术，中国国内首创研制成功双层晶硅结构发射极高速双极晶体管。应用及推广前景：“九五”初已与24所、华晶中央研...
相关成果

标签云

相关机构

关于国科网   我们的资源   我们的服务   免责声明   常见问题    软件下载    成果登记   联系我们  
Copyright 2001-2020 All Rights Reserved© 国科网 版权所有
国家科技成果信息服务平台 主管单位：科学技术部火炬高技术产业开发中心
京ICP备09035943号-33 京公网安备110401400097
在线客服系统