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半导体磁阻元件及磁传感器

2000年 应用技术
  • 成果简介
该元件的灵敏度高出霍尔元件10多倍。采用真空镀膜为基础的平面工艺技术，制造膜厚低至2微米的锑化铟磁阻元件，节省昂贵的单品材料，提高良品率及产量，使磁阻元件的成本利售价都降低1/15至J/30，生产效率提高50至200倍。...
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