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1-1.5微米器件可靠性技术

2005年

应用技术

成果简介

1.对1-1.5微米VLSI代表品种256k SRAM和1兆位MASKROM进行防静电损伤和防闭锁效应可靠性设计，解决了VLSI防静电击穿和闭锁效应，防静电灵敏度大于1000V，抗闭锁品质因素大于1。2.针对VLSI的主要失效模式和机理，进行晶片级可靠性预测和评估研究，开发成功电迁移和氧化层击穿的快速实时的预测和评估方法，该成果取得国内领先水平。3.在1-1.5微米VLSI大生产技术研究时，以可靠...

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