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1-1.5微米器件设计技术研究

2005年

应用技术

成果简介

主要成果内容包括：1.成功设计了高性能256k SRAM电路，采用了冗余设计技术，设计了32个冗余列。2.成功设计了可用于小批量大生产的1Mb MASK ROM电路。3.成功开发了4万门门海母片，建立了相应的数据库。形成了较完整的1.2微米LSI电路的CAD环境。4.掌握了1微米高速电路全定制和半定制设计技术，完成了不同品种的13个ASIC(设计规则1.0-1.5微米)电路设计，已具备了设计20万...

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