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电子回旋共振等离子体刻蚀机

2004年 应用技术
  • 成果简介
在自行研制的电子回旋共振等离子体刻蚀样机上，成功地进行了多晶硅、氮化硅和二氧化硅等多种薄膜0.8～1.2微米重复性好、图形保真高的刻蚀；利用电子束曝光技术，获得深亚微米刻蚀的初步结果。本机刻蚀速率高、片间均匀性好，3″、4″氮化硅片的刻蚀片内不均匀性小±0.5%。在典型的工艺条件下，基片损伤小。在使用氩气作为工作气体对金等贵金属薄膜进行了能量刻蚀，刻蚀速率和均匀性也达到了类似的指标。经电子工业部鉴...
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