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激光剥离制备自支撑GaN衬底

2003年 应用技术
  • 成果简介
激光剥离制备自支撑GaN衬底技术采用准分子激光器，激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能；激光辐射透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开来，得到GaN自支撑衬底。其特点是先将GaN表面粘在一基片上，再进行激辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离。...
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