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同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法

2003年 应用技术
  • 成果简介
该发明专利提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征为:将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来;在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四剧的沟槽;离子注入;高温退火;填充沟槽,CMP抛光,腐蚀Si_3N_4掩膜等。该方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝...
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