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紫外写入制作列阵波导光栅

2003年

应用技术

成果简介

该成果以单晶硅为衬底，用火焰水解法顺次在衬底上淀积SiO_2膜材料的下包层、掺杂GeO_2的SiO_2膜材料的波导芯层和SiO_2膜材料的上包层，在高温炉内经1200～1400℃致密化处理，再经注氢-掩膜-辐照的过程。在80～110atm氢气压下掺入H_2；再用刻有列阵波导光栅图形的掩膜板掩盖在上包层上；使用准分子激光器的紫外光照射约10分钟，去掉掩膜板，得到AWG器件。该成果工艺简化，成品率高，...

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