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单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁制备技术

2003年 应用技术
  • 成果简介
该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术，采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积25～150nm厚度的纯铁膜，再将纯铁膜和在硫化温度下能产生80kPa压力所需质量的升化硫粉封装于石英管中，抽真空后密封置于加热炉中，以3℃/min的升温速率加热至400～500℃进行热硫化反应10～20h，以2℃/min的速率降温至室温。该技术简化了直接溅射二硫化铁时...
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