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接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法

2003年 应用技术
  • 成果简介
该专利是一种接触式曝光与电子束直写技术相结合的混合曝光方法。该方法包括：1.光刻小源漏版，用电子束直写曝光，完成源漏与有源区的欧姆接触部分，检测显示隔离岛腐蚀状况的方块金属；2.光刻岛版，腐蚀出有源区；3.光刻大源漏栅版，并使形成的大源漏与小源漏搭接在一起，形成完整的源漏金属区，同时形成大面积的栅金属区；4.光刻栅版，通过电子束曝光形成精细的栅条，并与步骤3形成的大面积的栅金属搭接形成完整的栅区。...
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