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X光掩膜板制造技术

2003年 应用技术
  • 成果简介
该技术在双面氧化过的硅片上用氢氧化钾溶液从反面刻蚀硅，留下硅膜；在正面光刻图形，刻蚀去其中的二氧化硅；用二氧化硅作为掩膜，进行硅的深层刻蚀，留一定厚度的硅膜作为支撑层，即可获得用硅作为X光阻挡层和支撑层的新型X光掩模板。该技术具有工艺简单、价格低廉、制造周期短、寿命长等优点，无不同材料问的粘结和热膨胀系数的匹配问题。其厚度、侧壁垂直度均达到进行X光深层光刻的技术指标要求。...
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