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低线宽YZG单晶薄膜材料

2003年

应用技术

成果简介

内容简介：采用外延工艺制备YAG单晶薄膜，在技术上有两大特点：一是用Gd、Al、Ga等离子对YIG进行取代，可保证材料在低损耗的前提下，对4πMs在1700(Oe)-177(Oe)范围内进行调整，满足了器件在不同频段使用的要求；二是通过对离子取代和温度稳定轴的研究，使4πMs在一定温度范围内有较小的温度敏感性，从而提高了器件的温度稳定性。该晶体材料技术达到国际90年代末先进水平，材料经用户使用，反...

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