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1300V/1600V高压IGBT的实现

2003年 应用技术
  • 成果简介
简要内容:该成果首次在国内外令an≠ap导出了雪崩击穿方程关于Ec的二级近似解析解,从而把临界击穿电场Ec与雪崩区宽度Wa和耗尽层厚W有机联系起来,为功率器件外延材料的参数选取及IGBT等器件的电气几何参数的优化设计提供了理论基础与模型。在实现高压高性能IGBT的诸多关键技术中,该成果具有下列独特创新点:线性加多重短路MSS元胞模型;交互式栅源结构;在材料制备和工艺过程中的反自掺杂技术;特别的场板...
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