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南平LSI高密度封装产业化

2001年 应用技术
  • 成果简介
该项目在LSI高密度封装国家重点试验基地高温共烧陶瓷技术的基础上,采用清华大学先进的低温共烧陶瓷、氮化铝陶瓷技术、芯片大小封装技术,一期建设形成年产无引线陶瓷载体6000万套,200条引线以内封装外壳500万套,BGA及MCM新型封装10万套。...
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