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全离子注入GaAs低压高效MESFET的纵横向结构设计与制造

2001年 应用技术
  • 成果简介
通过坪论计算与实验相结合，对全离子注入GaAs低压高效MESFET的纵向和横向结构进行优化设计。纵向结构设计通过降低离子注入的能量和优选剂量进行浅注入，得到合适的较低的夹断电压，横向结构则通过选取合适的器件几何尺寸，尤其是减小栅源距离，以降低饱和电压，从而降低工作电压，提高器什效率。应用情况及推广前景：全离子注入GaAs低压高效MESFET可以卓有成效的降低工作电压，提高效率，也降低了器件功耗。与...
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