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用电子能谱方法研究半导体表面的物理和化学特性

2003年

基础理论

成果简介

　　本项目获得了以下主要成果：
　　（1）在 Ⅲ－Ⅴ族半导体表面研究中，提出了一种制备清洁表面新方法，即采用离子轰击加淀积磷或磷蒸汽退火的方法，解决了高质量的InP和GaP清洁极性表面的制备问题。这一方法为后来的国外文献广泛引用和采纳。
　　（2）将理论和实验相结合，研究了InP的表面原子结构和电子态，在国际上首次提出了InP（100）、（4×2）表面原子结构的失列二聚物模...

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