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分子束外延GaAs基微结构材料

2003年 应用技术
  • 成果简介
自1980年以来，中科院半导体所新材料部一直从事分子束外延GaAs基微结构材料的研究工作。目前单d-PHEMT、MESFET材料的水平已达国际同类产品水平。典型微结构材料的技术参数如下：单d-PHEMT：室温电子迁移率6300-7000cm^2/V.s；载流子浓度1.5-2.0×10^(12)/cm^2；双d-PHEMT：室温电子迁移率5100-6500cm^2/V.s；载流子浓度2.1-3.5×...
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