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InGaAlAs/AlGaAs应变量子阱大功率激光器研究

2001年 应用技术
  • 成果简介
在国内首次提出用InGaAlAs做垒、AlGaAs做阱的808nm量子阱大功率半导体激光器新结构。该结构具有激射波长容易控制、波长一致性好、器件寿命长等优点。研制成功InGaAlAs/AlGaAs808应变量子阱高亮度大功率激光器样管。激光器的单面输出功率＞1W（条宽100mm）、器件寿命＞10000小时，为同类器件的较高水平，已达到实用化要求。...
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