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熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法

2005年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
本发明公开了一种熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法，特别是指用于长波光导型碲镉汞探测器晶体材料中的复合缺陷消除方法。该方法的特征是：在传统的n型热处理工艺之前插入使复合缺陷离解并不让其再产生的高温热处理过程。
本发明的最大优点在于对仪器设备没作任何改变，只是在工艺上作了变动，却获得很好的效果，完全符合光导型探测器所要求的电子浓度。...
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