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四室连续多元化合物半导体成膜系统的研制

2004年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
化合物半导体成膜系统由进片室、金属预制层制备室、化学处理室和出片室线性连接构成,进片室内有多元共蒸发系统和一个磁控溅射靶位,金属预置层制备室有多个磁控溅射靶位和等离子清洗系统,化学处理室含有衬底加热、气化合成反应和气体输送等系统组成,出片室设有两个磁控溅射靶位和四套蒸发源系统,每室配备独立的分子泵排气与真空压强自动控制系统,各室由方口闸板阀联接。采用该系统可使金属预置层的溅射沉积与化学反应...
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