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GAP单晶

2002年 应用技术
  • 成果简介
产量仅次于GaAs的Ⅲ-V族化合物单晶,采用高压LEC工艺生产,由于其能隙较大(2.26eV),掺入等电子杂质可得到有效的可见光发射,是大量生产红、绿、黄、橙各色普通LED的主要材料,产品尺寸以直径2英寸为主。...
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