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WH1001型硅低势垒混频二极管

2002年

应用技术

成果简介

该器件采用了在重掺杂N+型硅上外延薄N层，再经过淀积Si02掩蔽、光刻、淀积势垒金属Ti等工艺，形成低势垒肖特基结的方法。由于混频电路结构简单，容易调整，因此具有体积小，重量轻，频带宽的特点。该产品满足合同指标要求，可替代进口产品，填补国内空白。其性能指标达到国内领先水平。调器件采用同轴陶瓷封装形式，其主要性能指标为：正向电压值≤280mV(1mA下)，在16GHz测试频下，整机噪声系数≤8dB，...

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