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CM23C4000LP 4兆位掩膜只读存储器

2002年

应用技术

成果简介

该电路采用0.8微米N阱硅栅CMOS工艺制造，芯片集成度为400成元件，有效ROM 单元数为512k×8bit，所有I/O管脚与TTL电平兼容。芯片面积7.29×5.54mm^2，封装为PDIP40，工作电压为5V。该电路主要用于固化计算机程序和数据、字符发生器等。...

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