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单晶材料掺FE半绝缘INP

2002年

应用技术

成果简介

该项目基本解决了(100)InP单晶生长的工艺难关，提供直径2英寸掺Fe(100)InP 单晶抛光片，满足国内对掺Fe半绝缘InP单晶衬底的需求。该项目集中解决了以下关键技术：独特的原位直接合成技术；改进的“封闭式”热场抑制孪晶和降低位错；利于晶锭加工和改善晶体性能的热处理技术。应用情况及推广前景：掺Fe半绝缘InP是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其一系列的优越特性使之在民用、军用光纤通信、...

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