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军用CCD器件用4英寸硅单晶片

2000年 应用技术
  • 成果简介
该项目研究了热系统及拉晶工艺对硅单晶质量的影响，改进了热场设计，增加了上保温筒和氩气导流筒，同时改进了工艺条件，采取了提高硅单晶均匀性和降碳控氧等措施。通过上述改进，稳定了直拉硅单晶中氧浓度和碳浓度，提高了硅单晶经向电阻率均匀，降低了微缺陷密度。...
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