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化合物半导体砷化镓、磷化铟材料-Φ3英寸半绝缘砷化镓材料

2000年 应用技术
  • 成果简介
GaAS材料广泛应用于微波数字通讯、移动通讯、光通讯和电子对抗、战术导弹等军民用电子领域。指标为：直径：76.2±0.5mm；等径长度：≥80mm；单锭成晶率：≥50%；晶向：(100)；电阻率>1×10^7Ω.cm；电阻率不均匀性：<20%；迁移率：≥5000cm^2/V.S；位错密度：<6×10^4cm^2；碳浓度：(1-3)×10^(15)/cm^3；[EL^2]：(1-3)×10^(16)...
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