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数字电路用半绝缘砷化镓材料研究

2000年 应用技术
  • 成果简介
砷化镓器件电路广泛应用在先进的雷达、智能武器、电子对抗和卫星通讯等军事和宇航事业研究领域。技术指标为：直径：3″；电阻率≥2×10^7Ωm；电阻率不均匀性 ：≤20%；PL谱不均匀性：≤25%；迁移率：≥5000cm^2/V.S；EPD：≤8×10^4cn^(-2)；热稳定性：850℃，30分钟；热处理后电阻率：≥1×10^7Ω；TTV≤7μm；TIR：≤5μm；Warp≤10μm；3英寸电路Vt...
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