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场致发光中分立中心与复合中心的合理利用

1999年 应用技术
  • 成果简介
计算碰撞激发截面时估计进行了发光材料的导带具体结构,获得截面的各向异性及随电子能量的新颖变化。提出分层优化方案经实验证明:电子的主要加速区是在SiO_2 层,离化倍增系数(M)增大而增大,Si的α大于单晶SiO_2约1000倍,大于ZnS单晶约3倍,发光绿红比提高最大6倍。...
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