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In(Ga)As/GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究

2006年

应用技术

中期阶段

成果简介

　　利用分子束外延方法（MBE）生长表面及多层In(Ga)As/GaAs量子点结构，找到调控量子点尺寸和表面分布的方法；获得表面量子点的局域电流特性；运用离子注入等手段获得提高量子点材料光学性能的有效途径，为高性能的量子点光电子器件的研制提供基础。
　　创新点：将扫描探针显微数（SPM）这一常用的纳米表征技术推广到半导体表面量子点的局部电导特性测量领域，研究量子点内的电学行为。利用离子...

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