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高效率单晶硅（多晶硅）太阳电池器件制备技术

2006年 应用技术  中期阶段
  • 成果简介
技术关键
1) 深结扩散工艺技术，可以有效改善PN结性能。
2) 发射区形成和磷吸杂，对于高效太阳能电池，发射区的形成一般采用选择扩散，在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散，发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应，又使硅表面易于钝化。
3) 高低结结构工艺技术，它可以有效地减少电池接触电极的串联电阻。
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