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多波长可擦重写光存储材料AgTCNQ及其制备方法

2006年 应用技术  成熟应用阶段
  • 成果简介
一种多波长可擦重写光存储材料AgTCNQ及其制备方法，该材料为银－四氰基对本醌二甲烷酯类衍生物，其分子式为Ag[TCNQ(CH_2CH_2COOR)_2]。该银－四氰基对本醌二甲烷酯类衍生物合成采用可溶性四氰基对本醌二甲烷酯类衍生物作电子受体，合成溶解性良好、适于采用旋涂法成膜的银－四氰基对本醌二甲烷酯类衍生物的电子转移复合物。本发明能够用简单高效的方法合成银－四氰基对本醌二甲烷酯类衍生物...
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