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脉冲激光法制备β-FeSi_2单晶的方法

2006年

应用技术

成果简介

本发明的目的在于提供一种合成时间较短，不需要溶媒，利用脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2单晶的方法，以克服上述缺陷。
本发明的技术方案为：脉冲激光法制β-FeSi_2单晶的方法，它是以FeSi_2合金为靶材，以Si(111)或Si(100)或石英或铁为基片置于脉冲激光真空镀膜机内，将基片加热到400℃～800℃并保温，以108～1011W/cm^2的峰值功率密度的激光束...

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