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类金刚石薄膜半导体光电性能和应用的研究

2006年 应用技术
  • 成果简介
一、项目特点和技术指标
类金刚石半导体薄膜特点：
1．宽带隙并且可在2ev～5ev范围内调节。
2．高临界击穿电压、高热导率、高载流子饱和漂移速度。
3．可在高温、辐射、腐蚀等恶劣环境下工作。
4．可能在大功率、光电子、抗辐射、显示、紫外探测等半导体器件获得应用。
5．具...
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